11月10日成功大學舉辦了第一屆成電論壇，在會上聯(lián)發(fā)科副總高學武表示，目前公司已采用了臺積電5納米、4納米制程來生產(chǎn)芯片，未來3納米聯(lián)發(fā)科也一定會采用，并與客戶共同布局先進封裝，將應用在資料中心等領域。

高學武表示，半導體在各領域含量不斷增加，推升產(chǎn)業(yè)年復合成長率達10%以上，尤其是車載芯片，盡管聯(lián)發(fā)科車用芯片營收占比重不高，不過，已看到未來全球碳中和將帶動電動車趨勢，進一步帶動晶圓消耗量。

聯(lián)發(fā)科車用芯片現(xiàn)今主流制程多布局在55、40納米，針對現(xiàn)今供應鏈產(chǎn)能吃緊，高學武坦言，現(xiàn)今成熟制程節(jié)點產(chǎn)能仍相當緊張，將持續(xù)爭取新產(chǎn)能，滿足客戶需求，但最重要的仍須依靠晶圓廠擴充新產(chǎn)能。

不過，隨著制程不斷往前邁進，終端產(chǎn)品、芯片廠也會跟進，如蘋果每年均推出搭載最新制程芯片的手機，英特爾也將持續(xù)推出新節(jié)點的CPU，借此提升終端產(chǎn)品性能。

此外，由于摩爾定律發(fā)展即將到極限，聯(lián)發(fā)科也采用封裝整合延續(xù)定律，藉由整合同質(zhì)芯片與異質(zhì)芯片，突破摩爾定律的限制，聯(lián)發(fā)科目前已采用臺積電的CoWoS、InFO等封裝技術(shù)，應用在資料中心等，未來也會進一步采用3DIC。