IS61WV204816B是一款并行RAM芯片。器件使用了高性能CMOS制造技術，電路也采用了創新的設計技術，器件在產生高性能的同時功耗較低。當COS為高電平時，設備將采用待機模式下的功耗，可以降低CMOS輸入電平。

當器件為高電平時，將會采用待機模式，在該模式下，功耗可以隨著CMOS輸入電平的降低而降低。通過使用芯片使能和輸出使能輸入，能夠輕松的提供內存擴展。低寫入使能可以有效的控制存儲器的寫入和讀取。數據字節允許高字節和低字節訪問。

該器件采用48引腳TSOP封裝，具有10ns、12ns的高速存取時間，適合用于便攜式應用。

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